Número do Produto do Fabricante:
TSM4NC60CI C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Número da Peça:
TSM4NC60CI C0G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 40W (Tc) Through Hole ITO-220AB
Inventário:
12895445
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TSM4NC60CI C0G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalagem
-
Série
-
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
654 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
ITO-220AB
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Informação Adicional
Outros nomes
TSM4NC60CIC0G
TSM4NC60CI C0G-DG
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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